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DMG4800LFG
0.08
0.03
V GS = 4.5V
0.07
T A = 150°C
0.06
0.02
T A = 125°C
0.05
0.04
0.03
V GS = 2.5V
0.01
T A = 85°C
T A = 25°C
T A = -55°C
0.02
V GS = 4.5V
0.01
0
0
0
5 10 15 20 25
30
0
5
10 15 20
25
30
1.8
1.6
1.4
I D , DRAIN-SOURCE CURRENT (A)
Fig. 3 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Gate Voltage
0.03
0.025
0.02
I D , DRAIN CURRENT (A)
Fig. 4 Typical On-Resistance
vs. Drain Current and Temperature
V GS = 4.5V
1.2
0.015
I D = 10A
1.0
V GS = 4.5V
0.01
V GS = 10V
0.8
I D = 10A
V GS = 10V
0.005
I D = 11.6A
0.6
-50
I D = 11.6A
-25 0 25 50 75 100 125 150
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
1.6
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 5 On-Resistance Variation with Temperature
20
16
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 6 On-Resistance Variation with Temperature
T A = 25°C
1.2
I D = 250μA
I D = 1mA
12
0.8
8
0.4
4
0
0
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T A , AMBIENT TEMPERATURE (°C)
Fig. 7 Gate Threshold Variation vs. Ambient Temperature
0.4
0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
V SD , SOURCE-DRAIN VOLTAGE (V)
Fig. 8 Diode Forward Voltage vs. Current
DMG4800LFG
Document number: DS31785 Rev. 3 - 2
3 of 6
www.diodes.com
November 2009
? Diodes Incorporated
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